A Intel está pesquisando, alternativas viáveis para semicondutores que possam substituir o uso de metal-óxido complementar (da sigla em inglês CMOS), utilizado na fabricação de circuitos integrados por quase toda a indústria na fabricação de peças como CPUs, GPUs e memórias.

A alternativa encontrada até o presente momento, conhecida como Spin-Órbita Magnetoelétrica (da sigla em inglês MESO) pode ser a solução para o problema.

Em uma iniciativa que une cientistas da Universidade da Califórnia em Berkeley e do Laboratório Nacional de Lawrence Berkeley, as pesquisas recentes definem a MESO como o futuro dos dispositivos tecnológicos.

O grande benefício no uso de MESO é a capacidade de operar com tensões até 5x menores e reduzir consideravelmente os gastos de energia entre 10x a 30x, quando combinado com possibilidades de modo de suspensão de baixo consumo.

Outra vantagem do novo material em comparação com o CMOS está na sua densidade lógica até 5x superior, de acordo com a pesquisa.
Por ser não-volátil, a MESO ainda permite uma autonomia consideravelmente maior quando em standby.

A busca por uma alternativa ao atual semicondutor de metal-óxido complementar surge mediante a demanda por processadores e memórias ainda mais eficientes em consumo elétrico e geração de calor.

Conforme a tecnologia de produção de semicondutores avança em processos de produção de até 10 nanômetros ou até menos, o CMOS atingiu sua sua limitação física, tornando a miniaturização cada vez mais desafiadora para a indústria.

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